三星14nm DRAM遇阻,HBM3E内存或调整设计?

   时间:2024-10-17 17:21 来源:ITBEAR作者:任飞扬

据韩媒ZDNET Korea近日报道,三星电子的HBM3E产品面临供货延迟问题,主要原因在于其基础的14nm级DRAM技术存在瓶颈。该内存产品的认证及供货进程受到英伟达等主要需求方的密切关注。

报道指出,三星的36GB容量HBM3E 12H内存预计要到2025年的第二至第三季度才能开始供应市场。

相较于SK海力士与美光,这两家公司的HBM内存产品基于1b DRAM技术,而三星的HBM3E则依赖于14nm级(即1a nm)DRAM,这在工艺上构成了一定的劣势。

三星在其12nm级(1b nm)DRAM的初步设计中并未考虑HBM的应用,这限制了三星迅速调整HBM3E内存DRAM Die的能力。

三星1a DRAM技术不仅面临设计上的挑战,还遭遇了工艺问题。三星在内存生产中积极引入EUV技术,以期提高竞争力并降低成本。然而,1a DRAM的EUV层数多达5层,超过SK海力士的同期产品,但工艺稳定性不足,未能实现预期的成本降低。

同时,三星1a DRAM的设计缺陷也导致其在DDR5服务器内存条的市场竞争中落后于SK海力士,后者更早获得了英特尔的产品认证。

有消息透露,三星电子内部正在考虑对其1a DRAM的部分电路进行重新设计,但这一决策面临诸多风险。新设计至少需要6个月才能完成,并需等到明年第二季度才能进行批量生产,这使得及时向下游厂商交付产品变得困难。

 
 
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