三星调整平泽P4一期产线:NAND+DRAM混合生产,月产晶圆3~4万片

   时间:2024-11-08 18:31 来源:ITBEAR作者:任飞扬

据韩媒ZDNET Korea报道,三星电子在三季度已做出重大决策,对其平泽P4制造综合体一期进行产能调整。这一变动意味着,该生产线将从原先专注的NAND闪存生产,转向同时支持NAND与DRAM的混合生产模式。

▲ 三星平泽园区

此次调整在生产线的命名上也有所体现。原名为P4F的生产线,其中的"F"代表Flash闪存,而如今更名为P4H,其中的"H"则是Hybrid的简称,标志着该生产线将支持更多种类的半导体工艺。

目前,平泽P4一期已有部分NAND闪存生产设备进驻,并计划在今年底前将NAND的生产能力提升至每月1万片晶圆。然而,由于市场环境的不确定性,针对如V9 QLC NAND等先进产品的进一步投资,可能会推迟至明年中期。

在DRAM生产方面,该生产线未来有望达到每月3至4万片晶圆的产能。同时,为应对竞争对手的扩张并保证自身供应充足,三星计划在该生产线上引入其最先进的1a、1b nm工艺,即相当于14nm和12nm级别。

值得注意的是,三星电子的平泽P4制造综合体共规划有四期生产线。其中,三期将专注于DRAM生产,并已计划开工建设。而原本计划的二期Foundry代工生产线,则暂时搁置。

 
 
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